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簡要描述:R5421感受態(tài)細(xì)胞R5421釀酒酵母菌株為K+/鉀離子缺陷型菌株,在文獻(xiàn)中也稱為CY162,MATα型,多用于K+/鉀離子轉(zhuǎn)運(yùn)蛋白的鑒定試驗(yàn)中,也可用于K+/鉀離子通道或鈉鉀離子泵的鑒定試驗(yàn)。
更新時(shí)間:2022-01-20
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
瀏覽次數(shù):1062
品牌 | 其他品牌 | 貨號 | BFNC86064 |
---|---|---|---|
規(guī)格 | 10x100ul/50x100ul | 供貨周期 | 現(xiàn)貨 |
主要用途 | 僅用于科研 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,生物產(chǎn)業(yè) |
R5421感受態(tài)細(xì)胞
產(chǎn)品規(guī)格CAT#: BFNC86064-01(10×100ul)/BFNC86064-02(50×100ul)
R5421 Competent Cell: 100μl/支 保存: -80℃(3個(gè)月)
pGADT7 (control vector, 10 ng/μl) 10μl 保存:-80℃(12個(gè)月)
Carrier DNA (10 μg/μl) 100μl 保存:-20℃(12個(gè)月)
PEG/LiAC: 5ml 保存: 4℃(12個(gè)月)
基因型
MATα ura3-52 leu2 trk1Δ his3Δ200 his4-15 trk2Δ1::pCK64
產(chǎn)品說明
R5421釀酒酵母菌株為K+/鉀離子缺陷型菌株,在文獻(xiàn)中也稱為CY162,MATα型,多用于K+/鉀離子轉(zhuǎn)運(yùn)蛋白的鑒定試驗(yàn)中,也可用于K+/鉀離子通道或鈉鉀離子泵的鑒定試驗(yàn)。Transformation marker為:ura3,leu2,該菌株可以在含有100mM KCl的培養(yǎng)基中國正常生長,在含有5-10mM KCl的培養(yǎng)基中生長緩慢,當(dāng)培養(yǎng)基中KCl濃度低于0.5mM,R5421(CY162)細(xì)胞停止生長。
青旗生物生產(chǎn)的R5421感受態(tài)細(xì)胞經(jīng)特殊工藝制作,-80℃可保存三個(gè)月,pGADT7質(zhì)粒檢測轉(zhuǎn)化效率>103 cfu/μg DNA。
操作方法
1. Carrier DNA 在每次使用前要通過加熱處理使其變性為單鏈狀態(tài),步驟如下:Carrier DNA 放95℃水浴或金屬浴3 min,快速插入冰中,靜置3 min,再次放95℃水浴或金屬浴3 min,快速插入冰中,靜置3 min以上。
2. 取100 µl冰上融化的R5421感受態(tài)細(xì)胞,依次加入預(yù)冷的目的質(zhì)粒0.5-3 µg,Carrier DNA10 µl,PEG/LiAc 500 µl并吸打幾次混勻,30℃水浴30 min (15 min時(shí)翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。
3. 將管放42℃水浴15 min (7.5 min時(shí)翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。
4. 5000 rpm離心 40 s棄上清,ddH2O 400 µl 重懸,離心 30s棄上清。
5. ddH2O 50 µl重懸,涂板,29℃培養(yǎng)48-96 h。
R5421感受態(tài)細(xì)胞
注意事項(xiàng)
1. 感受態(tài)細(xì)胞盡量在冰上融化。
2. 轉(zhuǎn)化高濃度的質(zhì)??上鄳?yīng)減少終用于涂板的菌量。
3. 同時(shí)轉(zhuǎn)化2-3種質(zhì)粒時(shí)可增加質(zhì)粒的用量。
4. R5421酵母菌株對高溫敏感,適生長溫度為27-30℃;高于31℃,生長速度和轉(zhuǎn)化效率呈指數(shù)下降。
5. 菌落變粉不是污染,是酵母細(xì)胞生長中一個(gè)常見現(xiàn)象。當(dāng)細(xì)胞在平板培養(yǎng)幾天后,平板上的Adenine被酵母消耗完畢,酵母試圖通過自身代謝途徑合成Adenine以供利用,然而,有些菌株的ADE2基因被破壞,Adenine合成途徑受阻;又由于其ADE4,5,6,7,8基因均正常,所以造成中間產(chǎn)物P-ribosylamino imidazole (AIR) 在細(xì)胞中積累而使菌落變?yōu)榉奂t色。
6. 酵母在缺陷培養(yǎng)基中生長速度比YPDA培養(yǎng)基慢,培養(yǎng)基中缺陷成分越多,生長越慢,以轉(zhuǎn)化涂板為例:涂YPDA平板29℃,48 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆;涂SD單缺平板29℃,48-60 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆,涂SD雙缺平板29℃,60-80 h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆,涂SD三缺或四缺平板平板29℃,80-90h培養(yǎng)可見直徑1 mm克隆。